sdr内存条_SDR内存条

2024-08-20 10:35:26

1.sddr和sdr内存有什么区别吗

2.内存条的DDR和SDR什么区别阿？

3.ddr内存条和sdr内存条如何区别啊

4.内存条几代有什么区别?

5.怎样查看内存条的型号?

6.如何区分内存条是几代的

7.台式机DDR内存和台式机SDR内存什么区别

sdr内存条_SDR内存条

查看自己电脑内存条的品牌，有三种基本方法：

一、查看说明书：如果是品牌电脑，一般会附带电脑说明书或详细的硬件配置清单，可由此确定其内存品牌和型号等信息。

二、查看内存实物：关机断电，打开机箱，实地查看插入主板内存插槽中的内存（可将内存拆下观察内存上的标签说明，下图所示分别为台式机和笔记本内存的拆解），如不了解标签上的文字含义，还可通过网络搜索了解，以确定其品牌。

三、软件检测内存：可通过专用工具如360驱动大师，鲁大师、驱动精灵等等检测硬件，以确定内存品牌等信息。如下图所示：内存品牌为金士顿，类型为DDR3，频率为1600HZ。

sddr和sdr内存有什么区别吗

1.首先回答一下DDR和SDR的区别。

传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。

一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。

DDR

DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。

标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。

同步动态随机存储器（SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。

DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。

SDR

DRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

2.接下来回答什么你的内存bank交错的意思

内存检查显示bank交错4路是你的主板支持Bank交错，内存交错使SDRAM内存各个面的刷新时钟信与读写时钟信号能够交错出现，这可以实现CPU在刷新一个内存面的同时对另一个内存面进行读写，这样就不必花费专门的时间来对各个内存面进行刷新。而且在CPU即将访问的一串内存地址分别位于不同内存面的情况下，内存面交错使CPU能够实现在向后一个内存面发送地址的同时从前一个内存面接收数据，从而产生一种流水线操作的效果，提高了SDRAM内存的带宽。因此，有人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。

不过，内存交错是一个比较高级的内存设置选项，有一些用VIA 694X芯片组的主板由于BIOS版本较旧，可能没有该设置项，这时可以升级主板的BIOS。如果在最新版的BIOS中仍未出现该设置项，那就只有通过某些VIA芯片组内存BANK交错开启软件，如WPCREdit和相应的插件(可以从“驱动之家”网站下载)来修改北桥芯片的寄存器，从而打开内存交错模式。

3.2-3-3-6的含义

这个是你的内存时序，标准写法是CL-tRCD-tRP-tRAS，这几个符号的含义分别是：CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的时间”，

tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间”，

tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”

tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”。

最后如果你要买一条一样的内存只要记着购买相同品牌，相同频率也就是DDR400还是DDR333，一般来说没有太大问题。

内存条的DDR和SDR什么区别阿？

拔下内存条,金手指上有两个缺口的是SDDR,一个的是DDR 。

DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本，因此也称为「SDRAM II」。其最重要的改变是在界面数据传输上，他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理，使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同，仅在时钟上升沿传送。

DDR SDRAM模块部份与SDRAM模块相比，改为用184针(pin)，4～6 层印刷电路板，电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与SDRAM模块相同。DDR SDRAM模块一共有184个接脚，且只有一个缺槽，与SDRAM的模块并不兼容。 DDR SDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的，例如PC100与PC133。而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则，例如PC1600以及PC2100，单位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其实与 PC1600 是相同的规格，数据传输量为 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes/s)，而 DDR266与PC2100 也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8＝2128MBytes/s)。

DDR SDRAM 在规格上按信号延迟时间(CL；CAS Latency，CL是指内存在收到讯号后，要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好，不过这还要看内存颗粒的原始设定值，否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会（JEDEC）的定义(规格书编号为JESD79)：DDR SDRAM一共有两种CAS延迟，分为2ns以及2.5ns(ns为十亿分之一秒)。较快的 CL= 2 加上 PC 2100 规格的 DDR SDRAM称作 DDR 266A，而较慢的 CL= 2.5 加上PC 2100规格的DDR SDRAM 则称作 DDR 266B。另外，较慢的 PC1600 DDR SDRAM 在这方面则是没有特别的编号。

ddr内存条和sdr内存条如何区别啊

1.SDR这种简称是错误的。Synchronous DRAM简称SD，Double Data Rate DRAM简称DDR。

2.要说两者的不同，主要还是在性能上。理论上讲DDR内存的性能是SD内存的两倍，虽然实际达不到。

3.从外观上区分SD、DDR内存的方法：SD金手指上有二个缺口，DDR的金手指上只有一个缺口。

满意请加分，呵呵。

内存条几代有什么区别?

首先, 外观上看 SDRAM为168线(引脚)而DDR为184线(引脚. 而且SDRAM金手指部分有两个凹面,DDR只有一处有凹面.

其次, 从速度上看 SDRAM最高为133MHz,而DDR频率依次为为266MHz\333MHz\400MHz.

最后, 从价格上看由于SDRAM早已停产,因此SDRAM价格高于DDR. 例:256M产品, DDR只需200甚至更便宜,而SDRAM需220——280.

怎样查看内存条的型号?

不好分，我用过和见过的内存有：SDR内存为第1代，其中接触过的有64线内存和72线内存，DDR为第2代，DDR2为第3代，DDR3为第4代，那Rambus DRAM都不晓得是第几代了，内存种类比你想象的要多，单纯分第几代的确不好分，好像也没人具体分过。他们的分别当然是离现在越近的存取速度越快了，但在DDR前的Rambus DRAM速度应该比DDR快，但成本过高限制了它的发展。这里有篇文章专门介绍：://.it.cn/f/diy/047/20/10314.htm。

内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已成为读写内存的整体。我们通常所说电脑内存（RAM）的大小，即是指内存条的总容量。

内存条是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。内存条分为DRAM和ROM两种，前者叫动态随机存储器，断电后数据会丢失；后者叫只读存储器，断电后数据不会丢失。

如何区分内存条是几代的

现在内存常用的分为3大类型！

一、SDR的内存（用于P3的电脑上）

SDR的识别方法为：内存上有两个小口，只要是两个缺口，可以直接认定是SDR，用于奔3的电脑。

二、DDR一代（用于P4的电脑上）

DDR一代分别有DDR333和DDR400 两种，至于是哪一类型，通常在外表没有标签的情况下很难看出来。

但是识别的方法为，只有一个缺口，而且上面的芯片颗粒为长方形，只要是长方形，一个缺口，就是DDR一代！

三、DDR二代（现在的主流，双核等等）

DDR二代分别有DDR444、DDR533、DDR667、DDR800现在前两种已经绝迹了，常用的是后面两种，一般在内存上都会有数字表示。识别的方法为：只有个缺口，芯片颗粒为正方形的，只要符合条件，就是DDR二代。

可能还有其他的内存，我的知识有限，不过这些也足够您使用的啦。没有功劳也有苦劳啊，楼主！

（楼主，以上回答，纯粹是个人工作经验及心得，并非百度搜索出来，如果回答满意请给予奖励）

台式机DDR内存和台式机SDR内存什么区别

　你们知道内存条怎么区别是第几代的吗?下面是我带来如何区分内存条是几代的的内容，欢迎阅读!

　区分内存条是几代的方法：

　1.SDR两个缺口，单面84针脚，双面168针脚，电压3.3v，内存颗粒长方形(已淘汰)。

　2.DDR1(第一代)一个缺口，单面92针脚，双面184针脚，电压2.5v，内存颗粒长方形工作频率266，333，400。

　3.DDR2(第二代)一个缺口，单面120针脚，双面240针脚，电压1.8v，内存颗粒正方形工作频率533，667，800。

　4.DDR3(第三代)一个缺口，单面120针脚，双面240针脚，电压1.5v，内存颗粒正方形工作频率1066，1333，1800

　防呆缺口：位置不同防插错

　图中红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。

　比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个(双面184个)，缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚;DDR2 内存单面金手指120个(双面240个)，缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚;DDR3内存单面金手指也是120个(双面240个)，缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。

　芯片封装：浓缩是精华

　在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒?包装?技术的不同导致的。一般来说，DDR内存用了TSOP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装)封装技术，又长又大。而DDR2和DDR3内存均用FBGA(底部球形引脚封装)封装技术，与TSOP相比，内存颗粒就小巧很多，FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。

　TSOP是内存颗粒通过引脚(图2**框)焊接在内存PCB上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和PCB的接触面积较小，使得DDR内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。

　FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形(图3)，而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被?包裹?起来了，外面自然看不到。其优点是有效地缩短了信号的传导距离。

　速度与容量：成倍提升

　前面我们教大家如何计算内存带宽大小，其实我们在选择内存和CPU搭配的时候就是看内存带宽是否大于或者等于CPU的带宽，这样才可以满足CPU的数据传输要求。

　而我们从带宽公式(带宽=位宽?频率?8)可以得知，和带宽关系最紧密的就是频率。这也是为什么三代内存等效频率一升再升的原因之一，其目的就是为了满足CPU的带宽。

　不仅速度上有所提升，而且随着我们应用的提高，我们也需要更大容量的单根内存，DDR时代卖得最火的是512MB和1GB的内存，而到了DDR2时代，两根1GB内存就只是标准配置了，内存容量为4GB的电脑也逐渐多了起来。甚至在今后还会有单根8GB的内存出现。这说明了人们的对内存容量的要求在不断提高。

　延迟值：一代比一代高

　任何内存都有一个CAS延迟值，这就好像甲命令乙做事情，乙需要思考的时间一样。一般而言，内存的延迟值越小，传输速度越快。

　从DDR、DDR2、DDR3内存身上看到，虽然它们的传输速度越来越快，频率越来越高，容量也越来越大，但延迟值却提高了，譬如DDR内存的延迟值(第一位数值大小最重要，普通用户关注第一位延迟值就可以了)为1.5、2、2.5、3;而到了DDR2时代，延迟值提升到了3、4、5、6;到了DDR3时代，延迟值也继续提升到了5、6、7、8或更高。

　功耗：一次又一次降低

　电子产品要正常工作，肯定要有电。有电，就需要工作电压，该电压是通过金手指从主板上的内存插槽获取的，内存电压的高低，也反映了内存工作的实际功耗。一般而言，内存功耗越低，发热量也越低，工作也更稳定。DDR内存的工作电压为2.5V，其工作功耗在10W左右;而到了DDR2时代，工作电压从2.5V降至1.8V;到了DDR3内存时代，工作电压从1.8V降至1.5V，相比DDR2可以节省30%～40%的功耗。为此我们也看到，从DDR内存发展到DDR3内存，尽管内存带宽大幅提升，但功耗反而降低，此时内存的超频性、稳定性等都得到进一步提高。

　制造工艺：不断提高

　从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高的工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低。譬如DDR内存颗粒广泛用0.13微米制造工艺，而DDR2颗粒用了0.09微米制造工艺，DDR3颗粒则用了全新65nm制造工艺(1微米=1000纳米)。

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